MTB6N60E1-D
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
MTB6N60E1-D datasheet
-
МаркировкаMTB6N60E1-D
-
ПроизводительON Semiconductor
-
ОписаниеTMOS E-FET High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
-
Количество страниц9 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
30.05.2024
29.05.2024
28.05.2024